求高手们帮我弄个

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我有一张三极管的基本工作原理图,先发给你啊.
一、概念理解
1、N型半导体：又称为电子型半导体.在纯净的硅晶体中通过特殊工艺掺入少量的五价元素（如磷、砷、锑等）而形成,其内部自由电子浓度远大于空穴浓度.所以,N半导体内部形成带负电的多数载流子——自由电子,而少数载流子是空穴.N型半导体主要靠自由电子导电.由于自由电子主要由所掺入的杂质提供,所以掺入的五价杂质越多,自由电子的浓度就越高,导电性能就越强.而空穴由热激发形成,环境温度越高,热激发越剧烈.
2、P型半导体：又称为空穴型半导体.在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼）而形成,其内部空穴浓度远大于自由电子浓度,所以,P型半导体内部形成带正电的多数载流子——空穴,而少数载流子是自由电子.P型半导体主要靠空穴导电.由于空穴主要由所掺入杂质原子提供,掺入三价的杂质越多,空穴的浓度就越高,导电性能就越强.而自由电子是由热激发形成,环境温度越高,热激发越激烈.
3、PN结及特性：P型和N型半导体接触时,在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散,电子从N型半导体向P型半导体扩散.空穴和电子相遇而复合,载流子消失.因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子,却有内建一个由N区指向P区的内电场.由于内电场是由多子建成,所以达到平衡后,内建电场将阻挡多数载流子的扩散,但不能阻止少数载流子.P区和N区的少数载流子一旦接近PN结,便在内电场的作用下漂移到对方.
PN结的单向导电性
外加正向电压（正偏）：在外电场作用下,多子将向PN结移动,结果使空间电荷区变窄,内电场被削弱,有利于多子的扩散而不利于少子的漂移,扩散运动起主要作用.结果,P区的多子空穴将源源不断的流向N区,而N区的多子自由电子亦不断流向P区,这两股载流子的流动就形成了PN结的正向电流.
外加反向电压（反偏）：在外电场作用下,多子将背离PN结移动,结果使空间电荷区变宽,内电场被增强,有利于少子的漂移而不利于多子的扩散,漂移运动起主要作用.漂移运动产生的漂移电流的方向与正向电流相反,称为反向电流.因少子浓度很低,反向电流远小于正向电流.当温度一定时,少子浓度一定,反向电流几乎不随外加电压而变化,故称为反向饱和电流.
4、扩散和漂移：多数载流子移动时扩散,少数载流子移动时漂移.
5、复合：电子和空穴相遇就会复合,大量的电子-空穴对复合就形成电流.
6、空间电荷区：也称耗尽层.在PN结中,由于自由电子的扩散运动和内电场导致的漂移运动,使PN结中间的部位(P区和N区交界面)产生一个很薄的电荷区,它就是空间电荷区.在这个区域内,多数载流子已扩散到对方并复合掉了,或者说消耗殆尽了,因此,空间电荷区又称为耗尽层.P区一侧呈现负电荷,N区一侧呈现正电荷,因此空间电荷区出现了方向由N区指向P区的内电场.内电场将阻碍多子的扩散,而少子一旦靠近PN结,便在内电场的作用下漂移到对方.PN结正偏时,内电场减弱,有利于多子的扩散而不利于少子的漂移.PN结反偏时,扩散运动使空间电荷区加宽,内电场增强,有利于少子的漂移而不利于多子的扩散.
7、内电场：PN结附近空间电荷区中,方向由N区指向P区的内电场.内电场对多数载流子起隔离作用,而对少数载流子起导通作用.
8、载流子：可以自由移动的带有电荷的物质微粒,如电子和离子.金属中为电子,半导体中有两种载流子即电子和空穴.
9、少数载流子：P型半导体地少数载流子是自由电子,N型半导体中是空穴.
10、二极管：单向导电性.正偏多数载流子可以通过,反偏少数载流子可以通过.反偏时P型半导体和N型半导体不能提供源源不断的少数载流子,所以反偏近似无电流.
二、三极管的工艺要求及作用
1、发射区掺杂浓度高：确保发射区中有足够多的多数载流子——电子,当基极电压高于发射极的时候,才有足够多的电子扩散到基极.
2、基区做得非常薄：可以更好的让基极（P型半导体）中的少数载流子——电子漂移到集电极.
三、工作条件
1、集电极电压（Vc）大于基极电压（Vb）,基极电压（Vb）稍高于发射极电压（Ve）.即：Vc>Vb>Ve,其中Vb一般高于Ve为0.7V；Vc常见电压比Ve高12V.这样就使得集电结反偏,发射结正偏.
2、如要取得输出必须加负载电阻.