LEC法生长Si-GaAs单晶是什么意思主要解释LEC法生长就好了
来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/06/01 13:27:34
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LEC是液体封装Cz法(Liquid Encapsulated Czochralski),是一种直拉的方法,通常采用氧化硼作为覆盖剂,在炉体中充入高压氮气.在拉晶过程中要经过引晶、放肩、等径、收尾、降温的过程.Si-GaAs可以理解成掺Si的GaAs,但实际应该不是这样理解.而应该是SI-GaAs,即半绝缘砷化镓的意思.如果是SI-GaAs,那么炉体中放入的坩埚是PBN坩埚,即氮化硼坩埚.
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